ルネサスエレクトロニクスは、高性能マイコンへの内臓に向けて、現在主流のフラッシュメモリに変わる不揮発性メモリーとしてMRAMを開発してきた。既にフラッシュメモリと同等の性能を引き出しており、ランダム読み出し周波数は200MHz以上で、現在実用化しているフラッシュメモリーを上回る。

MRAMの完成度は高く、製品への搭載もそう遠くないようだ。Armコアベースのクロスオーバーマイコンを市場投入しているが、不揮発性メモリー内蔵したマイコンを投入できれば、世界初となり、マイコン微細化の足かせとなっていたフラッシュメモリに代わる新潮流となる。

要約すれば、現在のマイコンとマイクロプロセッサー間の性能差を埋めるクロスオーバープロセッサーが登場し、そのプロセッサーにMRAMの混載が進むということだ。MRAMの読み出し時間は長いという弱点も克服したようだ。

フラッシュメモリから不揮発性メモリーとしてMRAMを内蔵して採用する動きは他社にはない。試作チップは、TSMCの22nmプロセスで作った。つまり量産化の準備は出来ているということだ。ますますアームと似たにおいがしてきた。