株テーマ：半導体成膜装置の関連銘柄
配線やトランジスタになる薄膜層をウェーハ上に形成する。成膜装置では、(8035)東京エレクトロン、(6525)ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣ。(6387)サムコや（6728）アルバックはプラズマを利用した薄膜形成装置（ＣＶＤ）を製造している。(4091)日本酸素 ＨＤグループの大陽日酸は、化合物半導体の製造装置であるＭＯＣＶＤ装置で25年度に売上高100億円超と倍増させる。次世代半導体製造装置で、開発費に数十億円を投じる。
半導体成膜装置は、ウェーハ上に回路素材となるナノレベルの薄膜を形成する装置。成膜装置には、CVD、ALD、熱酸化法、スパッタリングなどの種類があります。それぞれ必要な技術が異なり、使用される装置も同じではない。
東京エレクトロンは成膜装置のほか、エッチング装置やリソグラフィー装置などの半導体製造装置も手掛ける。成膜装置においては世界シェアもトップクラスであり、世界から高い評価を受けている。
ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣの主力事業は、ウェーハの電子回路形成における回路素材となるポリシリコン膜や絶縁膜等の薄膜を形成するバッチ成膜装置だ。均一に成膜することを可能にするにALD技術と、一度に複数枚のウェーハへの成膜を可能とするバッチ成膜技術を組み合わせたバッチALD技術は、高く評価されている。
CVDとは「化学気相成長」のことで、常圧にて化学反応を起こさせるCVD装置と、減圧して化学反応を起こさせるCVD装置に分けられる。アルバックやサムコが手掛ける。
ALDは「原子層堆積法」のことで、CVDの1種にも分類される。原子レベルでの制御が可能であるため、近年注目が集まる。東京エレクトロンやサムコが手掛ける
熱酸化法は、ウエハを配置した高温の容器に酸素ガスを注入することで、表面を酸化させる。東京エレクトロン。
マルマエは半導体やFPD製造装置の心臓部である真空パーツを製造している。
熱酸化法
ウエハを配置した高温の容器に酸素ガスを注入することで、表面を酸化させる。
スパッタリングは、ターゲットとなる材料を高エネルギーイオンで照射し、表面の原子を吹き飛ばす形で成膜する。他の方法だと作ることの難しい金属膜の生成などで用いられる。。
