株テーマ：FLOSFIA（フロスフィア）の関連銘柄
GaO（酸化ガリウム）パワーデバイスを開発する京都大学発のスタートアップ「FLOSFIA（フロスフィア）」が、23年夏までに月数十万個の生産体制を構築し、車部品メーカーに供給する。基板に酸化ガリウムを使う第3世代の製品で、現在主流の半導体に比べて電力の損失を7割減らせ、ＥＶに使うと消費電力が1割ほど少なくなり、航続距離も約1割伸びる。独自の成膜技術「ミストドライ法」を持ち、ミストドライ法以外で、安定的なα型酸化ガリウムを作るのは難しいとされている。
ＪＳＲはＦＬＯＳＦＩＡ（フロスフィア）とp型半導体である酸化イリジウムガリウムの実用化に向け、新たなイリジウム系成膜材料を共同開発した。新材料は、ＦＬＯＳＦＩＡ製コランダム型酸化ガリウムパワー半導体「ＧａＯ」シリーズの第2世代ダイオードより適用する。
