キヤノンは、ナノインプリントリソグラフィー装置で、最先端半導体製造装置に殴り込む。EUV露光装置の価格は200億～300億円、ArF液浸露光装置は60億～100億円、高NA（開口数）EUV露光装置は500億円に近いと見られている。

50層を露光する最先端半導体では、EUV露光を使うのは2～3層、ArF液浸露光を使うのは最大10層を使用するという。キヤノンはi線露光装置で8割、KrF露光装置で3割弱の台数シェアがあるようだ。後工程（パッケージング工程）向けのi線露光装置では、市場を独占しているという。


エヌビディアのAI半導体向けで需要が急増し、TSMCやサムスン、インテルが注力する先端パッケージング領域でキヤノンは独り勝ちする部門を持つ。

前工程については、キオクシアや大日本印刷と共同開発したナノインプリントリソグラフィー装置を投入した。ロジック半導体で2ナノ世代の最先端に対応できる。ナノインプリントリソグラフィー装置はEUV露光装置と比べ、価格や消費電力を約10％下げられる。

キオクシアの3次元NANDフラッシュメモリー向けで量産のための検討が進められており、参入のチャンスがありそうだ。