（6723）ルネサスエレクトロニクスが、電力損失を従来比で約3割削減した新型パワー半導体「RBA300N10EANS」と「RBA300N10EHPF」の量産を開始した。これらの製品は、同社が新開発したスプリットゲート構造のプロセス「REXFET-1」を採用し、オン抵抗やゲート・ドレイン間の電荷量などの特性を大幅に向上させた。

電力ロス削減はもちろん、効率的な電力管理が求められる電気自動車（EV）や電動自転車、充電ステーションなどの性能向上に大きく貢献すると期待されている。

新製品は、業界標準のTOLLおよびTOLGパッケージを採用し、他社製品とのピン互換性を持ちながらも、従来型のTO-263パッケージと比較して50％の小型化を実現している。また、TOLLパッケージにはウェッタブルフランク構造を導入し、自動外観検査にも対応するなど、製造プロセスの効率化を図っている。

さらに、同社はこれらのMOSFETとマイコンやDC/DCコンバータを組み合わせた「ウィニング・コンビネーション」も展開している。今回の量産開始により、ルネサスはEVや産業機器向け市場での競争力を一段と高め、次世代モビリティ市場の主導権を握る構えだ。

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