トッパンフォトマスクはＩＢＭと、次世代半導体向けの高NA EUV（極端紫外線）を含む、EUVリソグラフィを使用した2ナノメートルのロジック半導体プロセス対応のフォトマスクに関する共同研究開発契約を締結した。

ラピダスに供給するとみられ、2026年の量産開始を目指す。ラピダスは27年から2ナノ品の量産を始めることを目指しており、ＩＢＭから設計技術の供与を受ける予定。

2ナノなど先端半導体ではArFエキシマレーザーを光源とする露光技術をはるかに超えるEUV露光装置を使う。先端半導体向けのフォトマスクは大日本印刷も3ナノに対応している。
2024年2月から5年間、ナノ電子工学の研究開発を目的としたＮＹ州の産学官コンソーシアムとトッパンフォトマスクの朝霞工場で、フォトマスク開発を共同で行う。

トッパンフォトマスクは、EUV露光用マスクや基板材料の開発と製造に積極的に取り組んでいる。これまで両社は45ナノを皮切りに、32ナノ、14ナノといった各世代の先端半導体用フォトマスクや、初期段階のEUVフォトマスクの研究・開発を、2005年から2015年にかけて共同で推進していた。