住友化学は、窒化ガリウム（GaN）基板を手掛けるサイオクスを吸収合併した。サイオクスは、GaNやGaAs(ヒ化ガリウム)を中心に化合物半導体事業を展開し、電子デバイスや光デバイス用途として高品質な基板、エピタキシャルウェハを提供しており、半導体レーザー用GaN基板でトップシェアを持つ。データセンター用サーバー電源、再生可能エネルギー、ＥＶなどをターゲットに、2024年度に4インチ基板の本格量産に入り、2026年ごろに6インチ基板も実用化する。

現在の横型GaNパワー半導体は、シリコン基板上にGaNデバイスを構築するが、大きな電力は扱えない。縦型GaNパワー半導体は、GaN基板上にGaNデバイスを構築するため、大電力を扱うことができ、幅広い機器に汎用的に用いることができる。縦型GaNは、次世代パワー半導体筆頭の炭化ケイ素（SiC）を上回るポテンシャルがあるため、吸収合併により開発を加速する。