（5802）住友電気工業と大阪公立大学は、ダイヤモンド基板上に窒化ガリウム（GaN）トランジスタを作製することに成功した。この技術は、高効率・高出力な次世代パワー半導体の開発につながるものであり、電力変換効率の向上や電子機器の小型化に貢献すると期待される。

住友電工は、GaN半導体技術において世界的に高い競争力を持つ企業だ。今回の研究成果は、ダイヤモンド基板という優れた熱伝導性を持つ材料を活用し、GaNトランジスタの性能を大幅に向上させる可能性を示した。ダイヤモンドはシリコン（Si）や炭化ケイ素（SiC）よりも圧倒的に高い熱伝導率を持ち、半導体デバイスの放熱性能を改善できる。そのため、高出力が求められる電力インフラや電気自動車（EV）、5G基地局などへの応用が期待される。

世界の半導体市場では、次世代パワー半導体の需要が急拡大している。特に、SiCやGaNといったワイドバンドギャップ半導体は、電力効率を向上させる素材として注目されており、各国の企業が開発を加速している。