（285A）キオクシアと米サンディスクは、第10世代NAND型フラッシュメモリー技術の開発に成功した。新技術は、メモリーセルの積層技術をさらに進化させ、記録密度の向上と低消費電力化を実現する。これにより、高性能なデータセンター向けストレージやスマートフォン、AI関連機器の需要に対応する。

NAND型フラッシュメモリー市場は、生成AIの発展に伴い、データ保存容量の増大と高速処理能力が求められている。今回の技術開発では、従来比で記録密度を大幅に向上させることで、1チップあたりの容量拡大と生産効率の向上が期待される。キオクシアは、次世代NANDの量産を視野に入れ、サンディスクとの提携を強化している。

キオクシアは、かつて東芝メモリとしてNAND型フラッシュの開発をリードしてきた。現在も業界の主要プレイヤーとして、サムスン電子や米マイクロン・テクノロジーと競争を繰り広げている。

NANDフラッシュメモリー市場では、キオクシアは世界シェア19%で第3位に位置している。今回の技術開発により、トップのサムスン（34%）やSKハイニックス（19%）との競争が一層激化すると予想される。

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