ポストＥＵＶ（極端紫外線）関連として再注目してみたい。産業技術総合研究所、キヤノン、東京エレクトロン、ＳＣＲＥＥＮ ＨＤは5年以内に2ナノプロセスの開発を目指している。キャノンは高性能な露光・微細加工技術を担当し、キオクシアと共同開発しているナノインプリント技術が対抗技術で、これまでは15ナノメートルまでは開発済みと見られる。キオクシアと協業しているのは、ロジック系半導体だけでなく、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにも適用する狙いがあると見られる。

ナノインプリントは露光工程の一部を省けるため、ＥＵＶに比べて同工程の製造コストを4割、消費電力も9割削減できるメリットがある。「型」を半導体ウエハーに押しつけて回路パターンを形成することから「ハンコ型」とも呼ばれ、大日本印刷も参画し、ポストＥＵＶの有力候補に浮上してきた。

ＡＳＭＬがＥＵＶ露光装置を開発し、量産体制に入ったことから、関連株は大きく上昇した。まだ未来技術だがマークしておく必要はある。