ディスコは、パワー半導体ウエハーの生産技術で、レーザーを利用した、インゴット（単結晶の塊）からウエハーを切り出すプロセス技術の「KABRA（カブラ）」を、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）に適用している。加工装置製品をSiC向けに既に出荷しており、GaNウエハーにも適用できることを確認済みだが、新たにダイヤモンドウエハーに応用した。

KABRAであれば、ウエハーの上方からレーザーを照射するので、大口径のウエハーでも短時間で加工できるという。SiCウエハーで150mm品をインゴットから切り出す場合、ワイヤソーを用いる方法ではウエハー1枚当たり約3時間かかるのに対して、KABRAでは約10分で済むという。

ディスコの装置は口径200mm品に対応済みで、海外主要企業が使い始め、導入が加速する可能性が出ている。