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2023/8/23 10:29
(3407) 旭化成 4インチ窒化アルミ基板の製造に成功 次世代パワー半導体向け
旭化成は、米子会社のCrystal IS社が4インチ(直径100mm)の窒化アルミニウム(AlN)単結晶基板の製造に世界で初めて成功した。Crystal IS社はこれまでAlN基板を活用し、自社でUV-C(深紫外線)LEDを製造・販売してきたが、今後は次世代パワーデバイス等への展開を見据え、AlN基板の外部販売に向けた活動も強化する。Crystal IS社のAlN基板には欠陥密度が低く、紫外線透過性が高く、不純物濃度が低いという特徴がある。
AlNは、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)よりも電力損失が小さく、耐圧が高いポテンシャルを有することから、エネルギー効率に優れ、次世代のパワーデバイスへの適用やRF(高周波)アプリケーションへの展開も期待されている。現在は年間数千枚の2インチ基板を製造しているが、4インチ基板の商業化が実現すれば、1枚あたり従来の4倍の面積で各種デバイスを製造できるようになる。
AlNは、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)よりも電力損失が小さく、耐圧が高いポテンシャルを有することから、エネルギー効率に優れ、次世代のパワーデバイスへの適用やRF(高周波)アプリケーションへの展開も期待されている。現在は年間数千枚の2インチ基板を製造しているが、4インチ基板の商業化が実現すれば、1枚あたり従来の4倍の面積で各種デバイスを製造できるようになる。