三菱電機は、電力損失が世界最小のＳｉＣ（炭化ケイ素）パワー半導体素子を開発した。ＳｉＣパワー半導体は、現在主流のＳｉ（シリコン）に比べ耐高温・耐電圧・大電流特性に優れた半導体材料。耐高温・耐電圧・大電流特性に優れた半導体材料。2020年までのＳｉＣパワー半導体市場は年率27％の大きな伸びが想定されており、車載での早期実用化も検討されている。

住友電工は電力の制御や供給の効率を高めるパワー半導体向け基板の量産を開始した。炭化ケイ素（ＳｉＣ）を材料とする半導体で、2020年までに市場は850億円規模に拡大すると見られている。7271安永はパワー半導体に用いるセラミックス基板を高速・高精度に検査できる３Ｄ光学式外観検査装置を開発、4004昭和電工もユーザーの要請に応えて高品質ＳｉＣウェハーの量産を開始している。