5214 日本電気硝子
2024年12月3日 株価 | |||
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3,396円
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3,434円
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3,395円
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3,417円
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402,400株
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オシレータ分析 | トレンド分析 | 予想レンジ | |
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3,500円
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3,300円
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オシレータ分析
オシレータ系指標は、相場の強弱動向を表した指標で、日々の市場の値動きから、株価の水準とは無関係に売り・買いを探ります。
売買シグナルは 内にまたはで表示されます。
RSI | 9日 41.43 | RCI |
9日 -66.67 13日 21.43 |
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ボリンジャーバンド |
+2σ 3506.33 -2σ 3285.95 |
ストキャススロー |
S%D 67.22 %D 73.23 |
ストキャスファースト |
%K 30.36 %D 73.23 |
ボリュームレシオ | 14日 48.83 |
移動平均乖離率 | 25日 0.64 | サイコロジカル | 12日 41.67 |
トレンド分析
トレンド系指標は、相場の方向性・強さを判断する指標で、中長期の分析・予測に使われます。トレンド転換時は内にまたはで表示されます。現在のトレンドはまたはで表示されます。
DMI | MACD | ゴールデンクロス | |||
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5日移動平均(位置) | 5日移動平均(向き) | 25日移動平均(位置) | |||
25日移動平均(向き) | パラボリック |
チャート分析
酒田五法や一目均衡表などローソク足変化シグナル(当日示現のみ)は、内にまたはで表示されます。独自のHAL指数で高値圏、安値圏を判定し、実戦的なシグナルです。
十字足 | はらみ十字 | 上ひげ・下ひげ |
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出会い線 | 三点童子 | 三点童子(安値・高値) |
包み足 | 赤三兵・黒三兵 | 並び赤・並び黒 |
明けの明星・宵の明星 | 三役好転・三役逆転 | 雲上抜け・下抜け |
転換線上抜け・下抜け | 遅行線上抜け・下抜け | 五陽連・五陰連 |
5214 日本電気硝子の投資戦略
5214 日本電気硝子の株価は、オシレーター系指標では中立圏で推移しています。トレンド系指標は上昇トレンド継続中で、押し目買いゾーンです。オシレータ系指標は「買われ過ぎ」、「売られ過ぎ」を示すテクニカル指標の総称です。一定の範囲で動くため振り子系指標とも呼ばれます。RSIやストキャスティクスが代表的です。トレンドフォロー系指標は、株価が上がり続けると指標も上がり、下がり続けると指標も下がるタイプです。移動平均やMACDが代表的です。
5214 日本電気硝子のテクニカル売買シグナル
株式売買シグナルが点灯しています。このページ下部のオシレーター分析、トレンド分析、チャート分析でご確認ください。オシレーター分析、チャート分析では変化点をキャッチした日に売り買いサインが点灯、トレンド分析では現在の方向を矢印で示します。
5214 日本電気硝子の関連ニュース
現在の半導体パッケージでは、ガラスエポキシ基板などの有機材料ベースのコア基板が主流だ。しかし、生成AI向けなどハイエンドの半導体パッケージでは、コア基板上の回路や微細加工穴(ビア)のさらなる微細化や高密度化、高速伝送が可能な電気特性が求められている。有機材料ベースの基板ではこれらのニーズに応えることが難しいため、代替素材としてガラスが注目されている。
一般的なガラス基板は、CO2レーザーによる穴あけを行うとクラック(割れ目)が入りやすく、基板が破損する可能性が高い。そのため、レーザー改質とエッチングを用いたビア形成が必要だが、加工難易度の高さや加工時間の長さが課題となっている。
日本電気硝子は、CO2レーザーによるビア形成を可能にするため、同社が長年培ってきたガラスやガラスセラミックスのノウハウとビアメカニクス社のレーザー加工技術を融合する。この共同開発契約締結に伴い、ビアメカニクス社のレーザー加工装置を導入し、無機コア基板の早期開発を目指す。
同社が開発した全固体ナトリウムイオン電池は、従来の液体電解質を用いたリチウムイオン電池と比較して、安全性が高く、エネルギー密度も高いことが特徴だ。今回、新たに開発された耐熱仕様の電池は、以下の技術により高温環境下での安定動作を実現した。
高温下でも気密性を保つガラス封着技術を採用することで、電池内部への水分侵入を防ぎ、充放電サイクル特性を向上させた。高温環境下でも安定した性能を発揮する材料を厳選し、電池の各構成要素に採用した。 固体電解質と電極を強固に一体化させる独自の結晶化ガラス技術により、電池の耐久性を向上させている。
次世代半導体パッケージにおいては、複数の半導体チップを搭載し、チップ間を接続する微細なビアの形成が重要である。GCコアは、ガラスとセラミックスの複合材を用いることで、CO2レーザー加工によるクラック発生を抑制し、高速かつ高精度なビア加工を実現した。この技術により、従来のレーザー改質とエッチングによる加工方法と比較してビア加工時間を大幅に短縮し、クラック発生を抑制して基板の歩留まりを向上させることができる。
GCコアの開発により、次世代半導体パッケージの量産化に向けた課題解決が期待される。具体的には、加工時間短縮、設備投資コスト削減、歩留まり向上による製造コストの低減が見込まれる。また、微細加工による高密度実装やニーズに合わせた特性実現により、半導体デバイスの高性能化が期待される。さらに、ガラスセラミックス材料の特性を生かした小型軽量な基板設計により、半導体デバイスの小型化も実現できる。