東京エレクトロンは、半導体の垂直集積を可能にする3次元（3D）実装向けに、接合した2枚のシリコンウエハーから上部のウエハーと集積回路をレーザーで剥離する技術を確立した。この技術は、半導体業界におけるさらなる集積度の向上と性能の向上を目指すものであり、今後の市場に大きな影響を与えると期待されている。

東京エレクトロンが開発した新技術は、従来の平面実装に対して垂直方向に積層することで、スペース効率を高める3D実装を可能にするものだ。具体的には、2枚のシリコンウエハーを接合した後、上部のウエハーと集積回路をレーザーを用いて精密に剥離する技術を用いている。この技術により、ウエハーの損傷を最小限に抑えながら、高精度での剥離が実現する。

この技術の確立により、半導体業界はさらなる高性能化と小型化を追求することが可能となる。特に、5G通信や人工知能（AI）、自動運転車、データセンターなどの先進技術分野において、その恩恵は大きいとされる。垂直方向への集積により、回路密度が飛躍的に向上し、性能の向上と同時に製造コストの削減も見込まれる。

東京エレクトロンは、この新技術を用いた製品の商業化に向けて、既に国内外の主要半導体メーカーと共同開発を進めている。今後数年間で、この技術を搭載した半導体製品が市場に投入されることが予想され、業界全体に革新をもたらすだろう。