サムスン電子とＳＫハイニックスは、 3D DRAM 技術にハイブリッドボンディングを組み込むことを明らかにした。2025 年に 3D DRAM を発売する予定。

現在の技術ではマイクロバンプを使用して DRAM モジュールを接続しているが、シリコン貫通ビア (TSV) を使用してチップを垂直に積み重ねることができるハイブリッドボンディングは、マイクロバンプの必要性を排除することができ、チップ厚さを大幅に削減することができる。

また、サムスンは 垂直チャネルトランジスタ（VCT）スタイル DRAM の開発にも取り組んでおり、ハイブリッドボンディングを製造プロセスに組み込むことを計画している。3次元積層がDRAMに及ぶとなると、東京エレクトロンとラムリサーチの高性能ボンディング装置が必ず必要になってくる。

株価は三角保ち合いを継続中だが、上放れポイントを見ておきたい。