日本電気硝子とビアメカニクスは、ガラスおよびガラスセラミックス製半導体パッケージ用無機コア基板の開発加速に向けた共同開発契約を締結した。

現在の半導体パッケージでは、ガラスエポキシ基板などの有機材料ベースのコア基板が主流だ。しかし、生成AI向けなどハイエンドの半導体パッケージでは、コア基板上の回路や微細加工穴（ビア）のさらなる微細化や高密度化、高速伝送が可能な電気特性が求められている。有機材料ベースの基板ではこれらのニーズに応えることが難しいため、代替素材としてガラスが注目されている。

一般的なガラス基板は、CO2レーザーによる穴あけを行うとクラック（割れ目）が入りやすく、基板が破損する可能性が高い。そのため、レーザー改質とエッチングを用いたビア形成が必要だが、加工難易度の高さや加工時間の長さが課題となっている。

日本電気硝子は、CO2レーザーによるビア形成を可能にするため、同社が長年培ってきたガラスやガラスセラミックスのノウハウとビアメカニクス社のレーザー加工技術を融合する。この共同開発契約締結に伴い、ビアメカニクス社のレーザー加工装置を導入し、無機コア基板の早期開発を目指す。