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    ラピダス、2ナノ半導体の試作に向け着々と準備
    ラピダスの東哲郎会長は、半導体の国際展示会「セミコン・ジャパン」で、2ナノメートル半導体の試作に向けた準備が順調に進んでいることを明らかにした。

    東会長によると、2025年3月末までに必要な装置が全て揃う見込みだ。特に注目されるのは、今月中に開始される極端紫外線(EUV)露光装置の工場への搬入だ。EUV露光装置は1台約300億円と高額だが、最先端半導体の量産には不可欠な装置である。

    ラピダスは現在、IBMの米国拠点に約150人の技術者を派遣している。そのうち3分の1程度は日本と行き来しており、技術移転と人材育成を同時に進めている。

    東会長は「2025年4月からパイロットラインを動かし、実際に2ナノ半導体をつくる」と述べた。この段階で顧客による試験が行われ、製品の実用性が評価される重要な時期を迎えるという。ラピダスはすでに40社前後の企業と協議を進めており、顧客獲得に向けた取り組みを加速させている。

    2027年までの事業展開に向けて、ラピダスは総額5兆円が必要と試算している。現在、経済産業省から累計約9200億円の補助金を受けることが決まっているが、残りの資金調達が今後の課題となる。

    ラピダスの2ナノ半導体量産計画は、日本の半導体産業復活の象徴として注目を集めている。パイロットラインの稼働を経て、2027年の本格量産開始に向け、技術開発と顧客獲得、資金調達の3つの課題に取り組んでいくことになる。

株式情報更新 (12月12日)


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