キオクシアは2030年をめどに、メモリーセルの積層数が1000層を超えるNAND型フラッシュメモリーを量産化する。現行の第8世代は218層の1テラビットだ。製造コストへの影響が大きいのが表面を加工するエッチング工程で、3次元NANDは多層膜を形成した後、上層から下層を貫く多数の穴（メモリーホール）をプラズマエッチングで開ける。

東京エレクトロンが発表した3次元NAND向けエッチング技術がなければ、実現不可能と見られる。3次元NAND向けエッチング装置は、米ラムリサーチの独占と言われており、東京エレクトロンが3000億円の売上を総取りすると、期待されている。

キオクシアと米ウエスタンデジタルは、四日市工場や岩手県の北上工場で最先端メモリーを量産する。総投資額がおよそ4500億円で、経産省が最大1500億円を補助し、2025年9月の初出荷を目指している。両社の総投資額は7290億円に上り、経産省の支援は最大で2430億円となる見込みだ。