ロームは、ＧａＮデバイス（窒化ガリウム）など高速スイッチングデバイスの性能を最大限引き出す超高速駆動制御ＩＣ技術を確立した。ＳｉＣ（シリコンカーバイド）やＧａＮ（窒化ガリウム）などの化合物半導体は、電力ロスが圧倒的に少なく、電気自動車（ＥＶ）やデータセンターの電力マネジメントに革命を起こすと言われている。ロームは、既にＳｉＣで事業化に成功しているが、2022年にはＧａＮの量産体制を確立し、製品の提供を開始している。

ＧａＮは一般的なＳｉを使った半導体より電気抵抗による電力損失が圧倒的に小さく、スイッチング損失も1桁改善するため、電力を供給したり、電圧や周波数を変換する半導体としての活躍が期待されている。

ロームは、制御パルス幅を従来の9ns（ナノセカンド）から業界最高となる2nsまで大幅に向上することに成功し、制御ＩＣに搭載することで、ＧａＮデバイスが持つ性能を最大限まで引き出す超高速駆動制御ＩＣ技術の確立に成功した。ＧａＮデバイスの普及に向けた非常に大きな一歩になる。