信越化学工業は、ＧａＮ（窒化ガリウム）関連基板およびエピタキシャル膜製品の事業化に向け、量産体制を拡充する。信越化学は、2019年に米Qromisとの間で、高品質で反りが小さいＧａＮ成膜が可能な基板材料（ＱＳＴ基板）のライセンス契約を締結し、ＱＳＴ基板に独自の改良を加え、パワーデバイスと高周波デバイス向けの双方に求められる6インチ、8インチのＧａＮエピタキシャル成長用基板の供給体制を整えた。急速な需要の拡大に合わせ、生産体制の倍増に向けた投資を進める。

また半導体シリコンウエハーを製造する子会社の信越半導体が、（6707）サンケン電気からＧａＮエピタキシャル成長の技術供与を受け、信越半導体は、国内外にパワーデバイス用、高周波デバイス用及び発光デバイス用等のＧａＮエピタキシャル基板製品を製造、販売することが可能となった。