トレンドフォースによれば、大手DRAMサプライヤー3社は、最先进製造プロセスのウェハー投入量を増加させている。メモリ契約価格の上昇を受け、各社は設備投資を強化し、キャパシティ拡張は今年下半期に集中すると見込まれている。年末までに1αnm以上のプロセス向けウェハー投入量は、DRAMウェハー投入総量の約4割を占めると予想される。

HBMは収益性が高く需要も増えているため、生産が優先される。しかし、歩留まり率が50～60％と低く、DRAM製品よりもウェハー面積が60％大きいため、より多くのウェハー投入が必要となる。各社のTSV能力に基づき、HBMは年末までに最先端プロセスウェハー投入量の35％を占めると予想され、残りはLPDDR5(X)およびDDR5製品に充てられる。

HBMの最新動向に関しては、トレンドフォースはHBM3eが今年市場の主流となり、出荷は下半期に集中すると報告している。現時点では、SK hynixとMicronが主要供給者であり、どちらも1βnmプロセスを採用してNVIDIAへの出荷を開始している。Samsungは1αnmプロセスを採用し、第2四半期中の量産認定完了と、年央からの出荷開始が予想される。

DDR5およびLPDDR5(X)の需要増に伴う最先端プロセス能力の消費増についても触れられている。HBM需要の増大に加え、PC、サーバー、スマートフォンにおけるユニットあたりのコンテンツ容量が増加していることから、四半期ごとに最先端プロセス能力の消費量が増加している。特にサーバーでは、1ユニットあたりのコンテンツ容量が1.75TBに達するAIサーバーを中心に需要が最も伸びている。インテルのSapphire RapidsやAMDのGenoaなど、DDR5メモリを必要とする新プラットフォームの量産により、DDR5の普及率は年末までに50％を超えると予想される。

一方、HBM3eの出荷はメモリ需要のピークシーズンである下半期に集中することから、DDR5およびLPDDR5(X)の市場需要も増加すると見込まれる。しかし、2023年の業績悪化を受け、メーカーはキャパシティ拡張計画に慎重になっている。全体として、ウェハー投入量の大部分がHBM生産に割り当てられることから、最先端プロセスの生産量は制限される。そのため、下半期のキャパシティ割り当ては、供給が需要を満たすかどうかを左右する上で重要となる。

HBM生産への注力が強まることで、最先端プロセス能力の十分な拡張がなければ、DRAMの供給不足が発生する可能性がある。現在の新規工場計画は以下の通りである。Samsungは、2024年末までに既存施設のフル稼働を目指している。新工場であるP4Lは2025年に完成予定であり、Line 15施設は1Ynmから1βnm以上のプロセスに移行する予定である。SK hynixのM16工場は来年の拡張が予定されており、M15X工場も2025年の完成、翌年末からの量産開始が計画されている。Micronの台湾工場は来年にフル稼働に戻り、今後の拡張は米国を中心に進められる予定である。Boise工場は2025年に完成予定で、その後装置導入が行われ、2026年の量産開始が計画されている。

トレンドフォースは、新工場は2025年に完成予定であるが、量産開始の正確な時期は不透明であり、2024年の収益性に左右されると指摘している。さらなる装置購入のための資金調達を将来の収益に依存していることは、メーカーが今年メモリ価格の上昇を維持しようとしていることを裏付けている。さらに、2025年に生産が本格化するNVIDIAのGB200は、HBM3e 192/384GBを搭載しており、HBM出荷量が倍増する可能性がある。HBM4の開発も視野に入れ、キャパシティ拡張への多額の投資がなければ、HBMの優先生産がキャパシティ制約によるDRAM供給不足につながるおそれがある。