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    広帯域メモリー(HBM)
    マイクロン・テクノロジーは、広島工場をAI向けの次世代半導体メモリーHBMの生産拠点にする。広島工場にEUV露光装置を導入し、AIメモリーHBMの生産能力を年4~5割増強する。マイクロンは、2025年をメドに世界シェアを22年比で2倍超の25%に高める目標を掲げた。SKハイニックス、サムスン電子とHBMのシェア争いで三つ巴の大激戦。

    EUVの導入は国内では初めてで、日本に今後数年で最大5000億円を投資し、経済産業省も最大1920億円を助成する。2月に出荷を始めた新型のHBMは米エヌビディアのAI半導体に採用された。DRAM市場全体ではデータ量で年10%台半ばの成長率を見込んでいるが、HBMはその3倍以上と見ている。

株式情報更新 (11月23日)


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