三菱電機は、2017年12月5日、東京大学と世界で初めてパワー半導体モジュールに搭載されるSiCパワー半導体素子の抵抗の大きさを左右する電子散乱を起こす3つの要因の影響度を解明したと発表した。また、要因の1つである電荷による電子散乱の抑制により、界面下の抵抗が従来比3分の1に低減することを確認した。

SiCパワー半導体素子の低抵抗化によるパワーエレクトロニクス機器の更なる省エネに貢献する。