昭和電工は、ＳｉＣ（炭化ケイ素）パワー半導体に使用されるＳｉＣエピタキシャルウェハーについて、国内メーカーとして初の200mm（8インチ）サイズのサンプル出荷を開始した。ＳｉＣパワー半導体は、従来のシリコンウェハーを用いたパワー半導体に比べ、電力損失や熱の発生が少なく、省エネルギーに貢献するデバイスとして、電気自動車や再生可能エネルギー向けに市場が急拡大している。現在、主に150mm（6インチ）のＳｉＣエピウェハーを用いて生産されているが、大口径化することで一枚のウェハーからとれるチップ数が多くなるため、生産性改善やコスト低減が期待される。

昭和電工は自社製の200mm ＳｉＣウェハーを用いており、外販メーカーとして、世界シェアはトップと見られる。また2030年までにＳｉＣエピウェハーとその原材料であるＳｉＣウェハーを200mmかつ欠陥密度を1桁以上低減することを目標に掲げた。昭和電工は、半導体材料において世界トップシェアの製品を数多く持ち、半導体・電子材料の売上高は、全体の3割にあたる約4000億円となっている。