日本製鋼所は、三菱ケミカルと共同て窒化ガリウム（GaN）単結晶基板の量産に向けた実証設備を日本製鋼所室蘭製作所に建設し、実証実験を開始する。GaN基板の大きさは2インチ止まりで、用途も限定的だったが、両社は気相成長法に変わる液相法による大口径化を図り、4、6インチの基板量産設備を完成させた。2020年度に市場投入する計画。日本製鋼所は、人工水晶製造用の圧力容器で国内シェア100％であり、大口径・高品質・低コストGaN基板の製造技術の開発を進めてきた。

大口径GaN基板が量産化できれば、大電流動作が可能な高耐圧パワー半導体の実現につながり、ＥＶの非接触充電やインホイールモーターの開発が加速する。